陈总此次来台，与在韩国的高调完全相反，静悄悄，孤零零带着任颖，入住了一家名不见经传的小酒店。
夜已深，酒店楼梯间的声控灯忽明忽暗。
蒋尚义在小巨蛋附近寻了两圈才找到这间酒店，敲开302房门时，陈学兵正对着笔记本电脑看资料，任颖安静地坐在一旁整理文件，屋里只有空调的轻微嗡鸣。
见只有蒋尚义一人，陈学兵起身让座，毫无客套：
「蒋总，路上辛苦了，这是我们调整後的技术授权包，你过目。」
任颖递过去一份刚整理好的薄薄的合同，蒋尚义接过看了看，正好他随身公文包里有准备好的合同原清单，便拿出来逐页对比。
灯光下，他的眉头渐渐蹙起。
原清单里的七八项45nm平面工艺辅助专利被剔除，取而代之的是两项专利：
「鳍片定义的ap自对准双重曝光」和「源漏区的ll光刻」。
蒋尚义指尖在纸上顿了顿，很快有了判断。
「你们是想做……fnft？」
陈学兵靠在椅背上笑了笑，既不承认也不否认：「这两项专利虽然是fnft核心，但台积电已经储备更先进的ap四重曝光技术，授权ap/ll不会泄露台积电真正的技术壁垒。」这套话术，是梁孟松教他的。
专利包的增减，也是梁孟松定的。
梁孟松认为这份专利包有些冗余，原有清单中有七八项专利是45nm平面工艺的辅助专利，对fnft价值有限，这部分可以在bm给中芯的45nm工艺参数上想办法，并且可以通过复用bm的技术参数，寻找出替代台积电的工艺方案，减少单一依赖。
而新增的两项专利，其实是梁孟松自己的，只是当时他在台积电，专利便归了台积电。
ap搞定鳍片结构，ll搞定源漏性能，这两项专利可以帮助解决fnft最关键的「鳍片图形成型」问题，精准成型fnft的源极和漏极区域，决定晶片的电流驱动能力和功耗控制。
：
台积电已经有更先进的技术，而梁孟松拿到这两项技术授权，便可以走自己的方向。
蒋尚义合上合同，抬眼看向陈学兵：「你就这麽确定，张董会同意？」
「蒋总比我更懂张董。」陈学兵笑道：「他并不想我们太快接触到45nm制程抢台积电的生意，我们放弃的七八项专利，才是45nm量产的刚需专利，而那两项专利中大部分是梁孟松
…。。