在上光刻胶之前，还得上一遍衬底，以加强光刻胶的附着。
硅片缓缓停止旋转，此时，工件台再次开始对硅片进行加热，这是在固化光刻胶。
固化完成后，马娟开始按动电钮，调整工件台，将硅片置于光学系统下的合适位置。
虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围，不过考虑到拉晶的成品率，以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因，现在还是将硅片的规格定在了130mm，也就是大概5英寸的样子，不过这是我们的原生工艺，自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。
作为最早最原始的光刻机，高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻，这种方式硅片和掩模直接接触，分辨率比接近式要高。
但接触式光刻，硅片上的光刻胶或者个别灰尘，会污染和损坏掩模，用来搞研究可以，搞批产不太好。
他跨过接触式光刻，使用了接近式光刻，实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离，在10μm这个数量级，这样就可以避免掩模的损坏了。
坏处嘛，接近式光刻的分辨率比接触式的要差，最好的情况，大概在2μm的样子，这对于高振东现在来说是够用的。
使用接近式光刻，掩模和工件是分开的，这对于搞自动化光刻是有利的，这就是高振东将掩模放进光学系统的原因，掩模在光学系统里基本不动，运动的是工件台。
找平之后，工件台控制硅片向掩模接近，最终达到设计中所设定的距离——20μm。
这一次不用太过仔细的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。
接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。
显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计她的眼睛都花了，最终她抬起头，面带喜色的向高振东点了点头。
这次的掩模，是工艺测试用标准掩模，看她这个样子，至少分辨率10μm是没问题了。
“高师兄，和我们以前测试的一样，线宽10μm没有问题，很稳定。”
如果成像质量有问题，那就得将硅片取出来，洗去光刻胶，准备从头再来。
这年头，硅片很贵的，不能浪费，哪怕是到了几十年后，硅片没那么贵了，但还得洗，如果问题出在工艺的中后期的光刻道次上，前面的工艺也贵啊！
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