产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把HEUV-300B光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买HEUV-300C啊！
最后客户一算，HEUV-300C虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购EUV光刻机，都是采购HEUV-300C型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的HEUV-300C光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列EUV双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的HEUV-300D！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级EUV光刻机，专门为了EUV双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是HEUV-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300D光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的EUV光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在DUV光刻机时代基本已经到极限了，EUV光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在EUV的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘NA数值孔径’这么一个参数了。
如HEUV-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制
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