对光源系统，曝光系统，机台系统等进行了大幅度的技术升级！”
“最终，我们做出来了这台第三代的试验机，同时也是量产型号的原型机：HEUV-300A型！”
“经过大量的技术升级，目前我们的这台HEUV-300A，分辨率已经达到了十三纳米，数值孔径为0.33，最重要的是套刻精度提升到了2纳米。”
“其中套刻精度的提升是一个巨大的技术进步，这意味着我们可以使用这台光刻机低成本的生产等效7纳米工艺的芯片，甚至生产等效五纳米工艺的芯片！”
徐申学搞了这么多年的半导体，多少对半导体设备以及工艺之间的关系能搞清楚了。
光是一听这个十四纳米工艺的分辨率，他就知道这台EUV光刻机的巨大价值了。
芯片工艺能做到做好，是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。
芯片工艺的好坏，芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传，智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺，台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。
芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。
如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。
正在研发当中，预计明年投产的等效七纳米工艺，半金属间距是二十七。
隔壁的台积电以及四星，在各工艺节点上也差不多这个水准，有一些偏差，但是不会大。
而到了二十七纳米这个半金属间距，也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后，DUV浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了，很难再往下继续搞了，比如等效五纳米工艺就很难搞……当然，也不是说不行，如果套刻精度能够做到两纳米的程度，也能勉强高，但是成本会上天……
智云半导体以及对面的台积电，其实都在尝试用DUV浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯，就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。
别看只是两纳米的半金属工艺的提升，但是依旧是一道难以夸张的天堑，难得很。
所以别看都在搞，但实际上都对这一技术路线望而止步……用DUV浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片
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