不躁，早日攻克更先进制程的技术难关……台积电那边的二十八纳米工艺已经成熟可用了，而我们的竞争对手高通的新款手机SOC芯片，预计就会采用这一工艺！”
“他们这个二十八纳米工艺，相对来说比我们的三十二纳米工艺要好一些，这到了芯片里自然也就有了一些性能优势，这还是给我们带来了不小的压力啊！”
“而下一代的工艺制程上，我们还是需要保持大步频前进，我们不能单纯的追在竞争对手后头，还得赶上去甚至超过他们！”
“现在三十二纳米工业还可以用，但是等到了明年呢？我们的竞争对手恐怕就要用上d
这个时候，梁松教授则是开口道：“徐董，我们的三十二纳米工艺制程，如今突破了这个技术后，后续我再安排一个项目组对技术进行进一步改进，应该能够把这个三十二纳米工艺深挖到二十八纳米工艺，并带来更低的功耗，更多的晶体管。”
“但是到了二十八纳米的时候，我们的光刻机实际上做到了理论上的极限，栅级长度已经无法再有效缩短了，这意味着已经很难通过传统的平面的MOSFET工艺再缩小制程，进而提升芯片性能了。”
“所以我们需要一种突破性的工艺来完成芯片技术的进一步推进，当平面MOS工艺达到了尽头后，我的想法是采用FinFET工艺，把芯片从平面变成立体，进而实现性能的持续大幅度提升！”
“目前不少厂家都在采用这一技术，开始探索二十二纳米或二十纳米工艺！”
“但是我觉得我们完全可以跳过这个22/20纳米工艺这个节点，在采用FinFTE工艺的情况下，其实这一工艺节点以及更往下的等效十四纳米工艺节点，技术难度差不多，不存在太本质的区别，与其先搞二十二纳米工艺再过渡到十四纳米工艺，不如直接一步到位搞等效十四纳米工艺。”
“两者设备以及工艺流程大部分通用，成本可以控制，同时做出来的芯片性能更强，功耗更低。”
“所以，我想着带团队专心搞这一工艺，至于二十八纳米工艺的推进，这已经问题不大，吴教授带领的团队完全可以搞定后续的推进，而且不需要太长时间，估计今年秋天就能搞定二十八纳米工艺，满足集团对明年一系列新芯片的生产需求！”
“而我则是带着团队，全力攻关FinFET工艺，争取在后年把这个FinFET工艺搞出来，实现等效十四纳米工艺，实现对其他芯片厂商的赶超！”
徐申学听
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