FinFET被认为是芯片制程进入20纳米以下的关键技术，这是因为随着制程工艺达到纳米级，分隔各个晶体管的绝缘层只剩下十几个原子的厚度（硅原子直径0.22纳米），在越来越强的量子隧道效应面前将变得越来越薄弱，而前者可以改善这种现象。
根据量子理论，电子等微观粒子的运动是随机的，当阻隔足够薄弱，电子就可能随机到另外一边，宏观表现就是电流击穿了绝缘体，因此也被叫做量子隧道效应。
这几年里，芯片厂商、晶圆厂都开始强调起各种柵极工艺，乃至3D晶体管技术，固然有手机芯片功耗敏感的因素在，纳米时代量子隧穿导致漏电高发才是根本原因。
FinFET是由华裔科学家胡正明早2000年时发明的，本来台积电挖到胡的学生梁梦松担任研发处处长，不过因为没在20nm节点上使用他的技术，后者被野心更大的三星挖走。虽然台积电后来打赢了竞业禁止官司，却输了里子。
另外，台积电之所以被人戏称为台漏电，就是因为当初刚进入28nm制程时工艺不够成熟，有时候在晶体管之间产生未预料的漏电现象导致额外的电力损失，使得产品比预期的费电。好在经过几次工艺小升级，其28纳米制程已经进入成熟期，功耗有了明显好转。
正是靠着他们的HPC工艺的加持，蜜蜂BP6才上演了一出跌破眼镜的好戏，不但把蜜蜂送进了全球智能手机销量榜前十，也让蜜蜂系统坐稳了第三大手机系统的位置。
当然，高通好朋友的卖力助攻也是功不可没，每台BP6给人家60块专利费，简直超值！
不过高宝宝拿了钱，心里却是苦的，他自己卖810同样有专利分成，还有与其高端旗舰身份相称的价格，还要赚的更多。
说起来，在810的发热问题上，高通自身有很大责任，当初为了抢在联发科前面推出八核64位旗舰，他们直接用了arm的公版高性能A57内核，性能果然碉堡了，功耗也是呵呵哒。
毕竟作为IP知识产权授权商，arm在设计CPU内核时需要考虑不同领域合作伙伴的需求，导致公版方案往往显得过于中庸，毕竟他们只是一家千多人的确“小”公司，没办法实现面面俱到。
高通现在卖力宣传的下一代产品820，就用上了自家Kryo内核，并且放弃多而无用的八核架构，改成22的四核，代工厂也抛弃了台积电，转而使用三星的14nmLPP（低功耗增强）工艺。
台积
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