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第三百七十四章 苹果高通被气吐血(第三更)

作品:学霸聊天群作者:孙帅出口成诗
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发布会现场,肖俊登上高台。

顿时,无数的长枪短炮都是对准肖俊,咔嚓咔嚓的拍个不停。

“各位,大家下午好,我是银河科技公司的董事长肖俊。今天,我们公司的产品发布会是发布一款第三代手机芯片。它依旧是银河系列——银河-T3芯片!”

“但是它和以往的两款芯片不一样,它是一种全新的手机芯片,没错,它就是采用全新的材料,抛弃了落后的硅晶材料,而是使用石墨烯材料。它就是石墨烯芯片!”肖俊高声道。

这句话一出,全场哗然!

“什么?石墨烯芯片?我的天!这么说这个银河-T3芯片真的是让人眼前一亮啊。难道说银河科技公司的石墨烯技术已经达到了成熟的地步,可以生产出20纳米以下的石墨烯半导体了?”一个记者震惊的道。

“大家都知道,石墨烯未来是半导体行业的最佳材料之一。硅晶材料已经差不多走到了巅峰和尽头了。所以我们银河科技公司开创了首代石墨烯半导体技术!”

“石墨烯因其超薄结构以及优异的物理特性,在 FET 应用上展现出了优异的性能和诱人的应用前景。与碳纳米管相比,石墨烯 FET 等所制备的栅宽 10nm 以下的石墨烯带 FET 的开关比达 等采用热蒸发 4H-SiC 外延生长的石墨烯制备的 FET,其电子和空穴迁移率分别为 5,400 和 4,400cm2/(V·s),比传统半导体材料如 SiC 和 Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350nm 的高性能石墨烯 FET,其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s)!”

“石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能,是理想的纳电子和光电子材料。不但具有极佳的导电性能,其热导率也远超已知的最好的热导体,基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应,对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过 THz,性能优于所有已知的半导体材料!”

“硅晶的硅基从 7 nm 到 5nm技术,芯片速度大约有 20%的增加。但石墨烯 7nm 技术较硅基 7nm 技术速度的提高高达 300%,相当 15 代硅基技术的改善!”肖俊灼灼而谈。

“而我们的这一款银河-T3芯片,就是采用这样子的技术,它依旧是六核,但是它的单核跑分可以达到2.1万分,多核跑分可以达到5.4万分以上

…。。
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