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第一卷 第270章 这芯片,能杀人!

作品:上岸分手,我捡漏后平步青云作者:光约
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的一个角上,有一个针尖大小的凹槽。

“这是一个微型射频天线的接收口。”

陈平放的拇指在桌沿上停住了。

“远程触发?”

“对。”林远舟点了下头。“这块芯片可以接收特定频段的无线指令,触发以后,它会在毫秒级的精度内,对设备的供电或者信号传输产生一个非常小的电压波动。”

他伸出右手,拇指和食指捏在一起,只留了不到一毫米的缝。

“就这么小。小到设备自检程序根本发现不了,操作员在监控面板上也看不见任何异常。”

马东林皱着眉,没有插嘴。

陈平放也没说话,等着林远舟把话说完。

“但是。”

林远舟把两张照片并排摆好,用圆珠笔在桌面上敲了一下。

“碳化硅晶圆的外延层生长,对电压稳定性的要求是百万分之一级别。在外延沉积的关键阶段,比如第三十七到第四十二分钟的高温稳态期,只要出现一个持续两毫秒、幅度百万分之五的供电抖动,外延层的晶格结构就会产生一个位错缺陷。”

他停顿了一下,抬起头。

“这种缺陷,肉眼看不见,光学显微镜也发现不了,甚至常规的X射线衍射检测都很难抓到。但它就在那里,埋在晶格深处,等着被激活。”

陈平放的后背从椅背上挺直了。

“激活条件是什么?”

“高压和高频。”林远舟的回答很干脆。“碳化硅器件的核心应用场景,比如新能源汽车的逆变器、5G基站的功率放大器、高铁的牵引系统,全都是高压高频环境。晶格里的位错缺陷在这种工况下会迅速扩大,形成微裂纹,最后导致整个器件烧掉。”

“出厂测试能查出来吗?”马东林问。

“查不出来。”

林远舟摇了摇头。

“出厂测试的电压和频率远低于实际工况的极限值,位错缺陷在低压力下根本不会暴露。所有的检测指标,击穿电压、漏电流、导通电阻,全都会合格,漂漂亮亮的过线。”

会议室里安静了几秒。

头顶的排风扇嗡嗡的响,会议室里只有这个声音。

陈平放把那张芯片照片拿起来,举到眼前,盯着那个四毫米见方的灰色方块。

四毫米。

就这么个小东西,塞进精密设备的主板角落里,不占用软件资源,不留下数字痕迹,安安静静的趴着,就等一个无线

…。。
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